本仪器可对N沟道及P沟道大功率MOS场效应晶体管的主要技术参数进行测量。在测量注入可高达10A电流时的gm及RDS(ON)等晶体管图示仪无法检测的参数时,采用了国际电工委员会(IEC)所规定的脉冲法进行测量,有效地避免了被测器件的发热所引起的参数漂移和被测器件的破坏。
技术指标: (1) 栅源截止电压VGS(OFF):0~±12V (2) 栅源阈值电压VGS(TH): 0~±12V (3) 漏源短路时的栅源击穿电压V(BR)GSS:0~±1000V (4) 漏源击穿电压V(BR)DS:0~±1000V (5) 漏源短路时的栅极截止电流IGSS:1nA~100mA (6) 零栅压时的漏极电流IDSS:1μA~100mA (7)
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