本仪器可对各种类型硅PNP及NPN型晶体三极管的瞬态热阻参数进行快速测量。选取被测管发 射结正向压降VBE作为温度热敏参数,利用特定条件下VBE的温度系数M曲线之聚交特性,实现了不用恒温槽系统的M参数单点快速测试;测量对被测管施加1MS~1S的单次功率脉冲前后VBE的变化△VBE,即可得到被测管的瞬态热阻参数。本仪器的M及△VBE数值均由数字电压表自动显示。 当给被测管施加1S~5000S的单次功率脉冲并同时测量其壳温时,本仪器亦可用于测量各类晶体三极管的稳态热阻参数。本仪器的配套电源为本厂生产的WD-9型晶体管稳压电源。
技术指标: (1) 测试功率:0~750W(100W、5A或是300V、2.5A) (2) VBE电压:0~300V连续可调 分两档:1~100V(5A) 0~300V(2.5A) 误差≤±3% (3) IE电流0~5A连续可调 分两档:0~1A, 0~5A。 误差≤±3% (4) M数字电压表:0~ —4.00(mV/℃) (5) △VBE数字电压表:0~999(mV) (6) 功率脉冲脉宽τ:1mS~1000S 分七档:1mS,10 mS,100 mS,
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